الوصف
ترانزستور IGBT GT50JR22 بقناة N من Toshiba
الطراز GT50JR22 ترانزستور IGBT سيليكوني بقناة N، مصمم لتطبيقات التبديل المرن. وتصفه Toshiba بأنه سريع التبديل ومنخفض جهد الإشباع، مع دايودات مدمجة.
- الشركة المصنّعة: Toshiba
- الجهاز: ترانزستور IGBT بقناة N
- عدد الدوائر: 2
- الحد الأقصى المطلق لتيار المجمع: 50A
- الحد الأقصى المطلق لجهد المجمع-الباعث: 600V
- الحزمة: TO-3P(N)، ثلاثة أطراف، تركيب عبر الثقوب
قيمتا 50A و600V حدان أقصى مطلقان، وليستا قيمتي تشغيل موصى بهما. التزم بظروف ورقة البيانات والحدود الحرارية ومنطقة التشغيل الآمنة عند تصميم الدائرة.
